鲁科版（新课标）高考化学专题练习 《不同聚集状态的物质与性质》综合训练

这是一份鲁科版（新课标）高考化学专题练习 《不同聚集状态的物质与性质》综合训练，共21页。试卷主要包含了单选题，双选题，多选题，填空题，简答题等内容，欢迎下载使用。
1.硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示，已知该晶体密度为ρg/cm3，设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法不正确的是( )
A. Se位于元素周期表的p区
B. 基态Zn原子核外有15种不同空间运动状态的电子
C. 该晶胞中Zn与Se之间的最短距离为 34×34×65+79ρ⋅NA×107nm
D. 若A点原子的坐标为0,0,0，则B点原子的坐标为14,14,34
2.氮化铜晶体是一种半导体材料，其晶胞结构如图所示。设NA为阿伏加德罗常数的值，该晶胞边长为apm。下列叙述不正确的是( )
A. 铜元素基态原子的核外电子共有15种空间运动状态
B. 2个铜原子的最近距离为 2a2pm
C. N原子的配位数是12个
D. 该晶体密度ρ=(64×3+14)×1030a3NAg⋅cm−3
3.某立方晶系的锑钾(Sb−K)合金可作为钾离子电池的电极材料，图a为该合金的晶胞结构图，图b表示晶胞的一部分。下列说法错误的是 ( )
A. K和Sb之间的最短距离为 34apmB. K和Sb原子数之比为3：1
C. 与Sb最邻近的K原子数为6D. 该晶体的密度为9.56×1032a3⋅NAg/cm3
4.金属硼氢化物可用作储氢材料。一种金属硼氢化物氨合物的晶体结构示意图如图，图中位于晶胞的顶点和面心的“(八面体)”的中心代表金属离子M2+，顶点代表氨分子；“(四面体)”的中心代表硼原子，顶点代表氢原子。该晶体的晶胞形状为立方体，棱长为a pm，密度为ρg⋅cm−3，设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是( )
A. 该晶体中M2+与B原子的个数比N(M2+)：N(B)=1：2
B. M2+与硼原子间最短距离为 34a pm
C. M的相对原子质量为ρa3×10−30NA2=132
D. 该物质中含有的化学键的类型有配位键、离子键和共价键
5.研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物(LixLyTiO3)，其立方晶胞和导电时Li+迁移过程如图所示。已知该氧化物中Ti为+4价，La为+3价。下列说法错误的是 ( )
A. Ti位于O原子形成的正八面体空隙
B. 若x=0.25，Li+与空位的个数比为2：3
C. LixLayTiO3立方晶胞在体对角线方向上的投影图为
D. 导电时，空位移动方向与电流方向相反
6.ZnS存在立方ZnS与六方ZnS两种晶胞(如图所示)，Zn2+均位于S2−形成的正四面体空隙中且阴、阳离子相切，下列说法正确的是 ( )
A. r(S2−)+r(Zn2+)= 32a
B. S2−位于Zn2+形成的立方体空隙中
C. 立方ZnS与六方ZnS的密度比为2b2ca3
D. 立方ZnS晶胞中距离S2−最近的S2−为12个
7.已知NA为阿伏伽德罗常数的值．下列说法不正确的是( )
A. 12g金刚石中平均含有2NA个σ键B. 1mlSiO2晶体中平均含有4NA个σ键
C. 12g石墨中平均含1.5NA个σ键D. 1mlCH4中含4NA个s−pσ键
8.氮化镓是第三代半导体材料之一，两种立方GaN晶胞分别具有闪锌矿型(如图甲所示)和NaCl型(如图乙所示)结构。已知：甲、乙图中相邻的Ga，N原子之间均相切；Ga、N的原子半径分别为r1pm、r2pm，阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是
A. 甲、乙中Ga的配位数之比为2:3
B. 甲中晶胞体对角线等于Ga与N原子半径之和的4倍
C. 乙中所示晶体的密度为4.2×1031NA(r1+r2)3g⋅cm−3
D. 甲、乙的晶胞中，Ga原子围成的正四面体数目之比为1:2
9.我国现已能够拉制出直径为300毫米，重量达81千克的大直径硅单晶。下列对晶体硅的叙述正确的是
A. 晶体硅没有固定的熔沸点
B. 形成晶体硅的速率越快越好
C. 可用X射线衍射实验来鉴别晶体硅和玻璃
D. 晶体硅的形成与晶体的自范性有关，晶体硅的各向异性和对称性是矛盾的
10.由键能数据大小，不能解释下列事实的是
A. 熔点：CO2