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    高三化学一轮复习讲义选修3 第3节 课时分层训练36

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    这是一份高三化学一轮复习讲义选修3 第3节 课时分层训练36,共8页。试卷主要包含了现有几组物质的熔点数据等内容,欢迎下载使用。

    (建议用时:30分钟)
    1.(1)SiC的晶体结构与晶体硅的相似,其中C原子的杂化方式为________,微粒间存在的作用力是________。SiC晶体和晶体Si的熔、沸点高低顺序是________。
    【导学号:95812298】
    (2)氧化物MO的电子总数与SiC的相等,则M为________(填元素符号)。MO是优良的耐高温材料,其晶体结构与NaCl晶体相似。MO的熔点比CaO的高,其原因是_____________________。
    (3)C、Si为同一主族的元素,CO2和SiO2的化学式相似,但结构和性质有很大的不同。CO2中C与O原子间形成σ键和π键,SiO2中Si与O原子间不形成上述π键。从原子半径大小的角度分析,为何C、O原子间能形成上述π键,而Si、O原子间不能形成上述π键:_____________________,
    SiO2属于________晶体,CO2属于________晶体,所以熔点CO2________SiO2(填“<”“=”或“>”)。
    (4)金刚石、晶体硅、二氧化硅、MgO、CO2、Mg六种晶体的构成微粒分别是____________________,熔化时克服的微粒间的作用力分别是__________。
    [解析] (1)晶体硅中一个硅原子周围与4个硅原子相连,呈正四面体结构,所以C原子杂化方式是sp3,因为Si—C的键长小于Si—Si,所以熔点碳化硅>晶体硅。
    (2)SiC电子总数是20个,则该氧化物为MgO;晶格能与所构成离子所带电荷成正比,与离子半径成反比,MgO与CaO的离子电荷数相同,Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大,熔点高。
    (3)Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,p­p轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的π键,SiO2为原子晶体,CO2为分子晶体,所以熔点SiO2>CO2。
    (4)金刚石、晶体硅、二氧化硅均为原子晶体,构成微粒为原子,熔化时破坏共价键;Mg为金属晶体,由金属阳离子和自由电子构成,熔化时克服金属键,CO2为分子晶体,由分子构成,CO2分子间以分子间作用力结合;MgO为离子晶体,由Mg2+和O2-构成,熔化时破坏离子键。
    [答案] (1)sp3 共价键 SiC>Si
    (2)Mg Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大
    (3)Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,p­p轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的π键 原子 分子 <
    (4)原子、原子、原子、阴阳离子、分子、金属阳离子与自由电子 共价键、共价键、共价键、离子键、分子间作用力、金属键
    2.(1)①科学家把C60和K掺杂在一起制造了一种富勒烯与钾的化合物,该物质在低温时是一种超导体,其晶胞如图所示,该物质中K原子和C60分子的个数比为________。
    【导学号:95812299】
    ②继C60后,科学家又合成了Si60、N60。请解释如下现象:熔点Si60>N60>C60,而破坏分子所需要的能量N60>C60>Si60,其原因是__________________________。
    (2)铜晶体为面心立方最密堆积,铜的原子半径为127.8 pm,列式计算晶体铜的密度__________________________________________________________。
    (3)A是周期表中电负性最大的元素,A与钙可组成离子化合物,其晶胞结构如图所示,该化合物的电子式是__________________。已知该化合物晶胞1/8的体积为2.0×10-23 cm3,求该离子化合物的密度,请列式并计算(结果保留一位小数):__________________________________。
    [解析] (1)①K处于晶胞表面:12×eq \f(1,2)=6,C60处于晶胞顶点和体心:8×eq \f(1,8)+1=2。故K原子和C60分子的个数比为:6∶2=3∶1。
    ②熔点与分子间作用力大小有关,而破坏分子则是破坏分子内的共价键。
    (2)晶胞边长2eq \r(2)r(Cu),晶胞含有Cu为4,M(Cu)=64,
    ρ=eq \f(64×4,NA2\r(2)×127.8×10-103)=9.0 (g·cm-3)。
    (3)A为F,与Ca形成CaF2,电子式为,
    ρ=eq \f(19+\f(1,2)×40,2.0×10-23×6.02×1023)=3.2(g·cm-3)。
    [答案] (1)①3∶1
    ②结构相似的分子晶体的相对分子质量越大,分子间作用力(或范德华力)越强,熔化所需的能量越多,故熔点:Si60>N60>C60;而破坏分子需断开化学键,元素电负性越强其形成的化学键越稳定,断键时所需能量越多,故破坏分子需要的能量大小顺序为N60>C60>Si60
    (2)eq \f(4×64,NA×2\r(2)×127.8×10-103)=9.0(g·cm-3)
    (3)
    eq \f(19+\f(1,2)×40 g·ml-1,2.0×10-23 cm3×6.02×1023 ml-1)=3.2 g·cm-3
    3.(2017·甘肃重点中学联考)(1)三聚氰胺()中六元环结构与苯环类似,它与硝基苯的相对分子质量之差为3,三聚氰胺的熔点为354 ℃,硝基苯的熔点是5.7 ℃。
    【导学号:95812300】
    ①三聚氰胺中,环上与环外的氮原子杂化轨道类型分别为________。
    ②导致三聚氰胺与硝基苯熔点相差很大的根本原因是__________。
    (2)一定条件下,碳、氮两种元素可形成一种化合物,该化合物可作耐磨材料,其熔点________(填“高于”、“低于”或“无法判断”)金刚石的熔点。
    (3)铁镁合金是目前已发现的储氢密度最高的储氢材料之一,其晶胞结构如图所示。则铁镁合金的化学式为________,若该晶胞的参数为d nm,则该合金的密度为______________(不必化简,用NA表示阿伏加德罗常数)。
    [解析] (1)①三聚氰胺中环上、环外氮原子分别形成了2个σ键、3个σ键,均还有一个孤电子对,故价层电子对数分别为3、4,杂化轨道类型分别为sp2、sp3。②三聚氰胺中存在N—H键,分子间能形成氢键,导致熔点升高,硝基苯分子间不能形成氢键,故熔点较低。(2)因氮的原子半径小于碳的原子半径,故键能C—N>C—C,因而金刚石的熔点较低。(3)依据均摊规则,晶胞中共有4个铁原子,8个镁原子,故化学式为Mg2Fe,一个晶胞中含有4个“Mg2Fe”,其质量为eq \f(4,NA)×104 g=eq \f(416,NA) g,1 nm=10-7 cm,体积为10-21d3 cm3,由此可求出其密度。
    [答案] (1)①sp2、sp3 ②三聚氰胺分子间能形成氢键,但硝基苯分子间不能形成氢键
    (2)高于
    (3)Mg2Fe eq \f(416,10-21d3 NA) g·cm-3(或其他合理答案)
    4.现有几组物质的熔点(℃)数据:
    据此回答下列问题:
    (1)A组属于________晶体,其熔化时克服的微粒间的作用力是________。
    (2)B组晶体共同的物理性质是________(填序号)。
    ①有金属光泽 ②导电性 ③导热性 ④延展性
    (3)C组中HF熔点反常是由于_____________________________________。
    (4)D组晶体可能具有的性质是________(填序号)。
    ①硬度小 ②水溶液能导电 ③固体能导电 ④熔融状态能导电
    (5)D组晶体的熔点由高到低的顺序为NaCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因为
    ___________________________________________
    [解析] (1)A组熔点很高,为原子晶体,是由原子通过共价键形成的。(2)B组为金属晶体,具有①②③④四条共性。(3)HF中含有分子间氢键,故其熔点反常。(4)D组属于离子晶体,具有②④两条性质。(5)D组属于离子晶体,其熔点与晶格能有关。
    [答案] (1)原子 共价键 (2)①②③④
    (3)HF分子间能形成氢键,其熔化时需要消耗的能量更多(只要答出HF分子间能形成氢键即可) (4)②④
    (5)D组晶体都为离子晶体,r(Na+)B组 专项能力提升
    (建议用时:15分钟)
    5.(2017·陕西西北九校联考)现有aX、bY、cZ、dW、eM、gN六种短周期非金属元素,a+b=c,a+c=d,a+d=e,d+e=g,Z、M、N的单质均有两种或多种同素异形体,请回答下列问题:
    【导学号:95812301】
    Ⅰ.(1)N元素位于元素周期表的________区,价层电子排布式为________。
    (2)Z、W、M元素的第一电离能由大到小的顺序为________(用元素符号表示)。
    (3)Z2X4、W2X4两种化合物的沸点高低关系为________(用化学式表示)。
    Ⅱ.YN是一种耐磨材料,其结构与金刚石相似,如图为其晶体结构单元,它可由Y的三溴化物和N的三溴化物于高温下在氢气的氛围中合成。
    (1)Y的三溴化物中Y原子的杂化方式为________,N的三溴化物分子的立体构型为________。
    (2)写出合成YN的化学方程式________________________。
    (3)已知晶体中Y与N原子的最近距离为a pm,则该晶体的密度的表达式为________________ g·cm-3(不需化简)。
    [解析] 将短周期元素中的非金属元素列举出来,然后结合质子数之间的关系及Z、M、N单质均有两种或多种同素异形体,可确定出X、Y、Z、W、M、N六种元素分别为H、B、C、N、O、P。
    Ⅰ.(1)磷元素处于周期表的p区,其价层电子排布式为3s23p3。
    (2)氮元素2p轨道处于半充满状态,第一电离能反常,比氧元素的高。
    (3)N2H4分子间存在氢键,沸点比C2H4的高。
    Ⅱ.(1)BBr3分子中成键电子对数为3,孤电子对数为0,B原子采用sp2杂化。PBr3分子中成键电子对数为3,孤电子对数为1,分子的立体构型为三角锥形。(3)BP晶胞中B、P原子最近距离为体对角线的eq \f(1,4),每个晶胞中含有4个BP,1 pm=10-10 cm,则该晶体的密度为eq \f(4×42,NA×\f(4,\r(3))a×10-103) g·cm-3。
    [答案] Ⅰ.(1)p 3s23p3
    (2)N>O>C
    (3)N2H4>C2H4
    Ⅱ.(1)sp2 三角锥形
    (2)BBr3+PBr3+3H2eq \(=====,\s\up15(高温))BP+6HBr
    (3)eq \f(4×42,NA×\f(4,\r(3))a×10-103)
    6.(1)PrO2的晶体结构与CaF2相似,晶胞中Pr原子位于面心和顶点,则PrO2的晶胞中有________个氧原子。Ce(铈)单质为面心立方晶体,其晶胞参数为a=516 pm,晶胞中Ce原子的配位数为________,列式表示Ce单质的密度________g·cm-3(列式即可)。
    (2)已知C的原子核外电子排布为[Ar]3d104sx,有+1、+2两种常见化合价。
    C晶体的堆积方式如图所示,设C原子半径为r cm,阿伏加德罗常数用NA表示,则晶胞中C原子的配位数为________,C晶体的密度为________g·cm-3(要求写表达式,可以不化简)。
    (3)①FeO晶胞结构如图甲所示,FeO晶体中Fe2+配位数为________。
    ②铁有δ、γ、α三种同素异形体(如图乙),则δ晶胞原子堆积名称为________。若α­Fe晶胞边长为a,γ­Fe晶胞边长为b,则两种晶体密度比为________。
    图甲 图乙
    [解析] (1)晶胞中Pr原子位于面心和顶点,通过均摊法知晶胞中含4个Pr原子,再结合PrO2的化学式可知,此晶胞中应有8个氧原子;Ce(铈)单质为面心立方晶体,以晶胞顶点的铈原子为例,与之距离最近的铈原子分布在经过该顶点的所有立方体的面心上,这样的面有12个,晶胞中铈原子位于顶点和面心,数目为8×1/8+6×1/2=4,该晶胞的体积为a3,该晶胞的质量为m=4M/NA,根据ρ=eq \f(m,V)可知,密度为eq \f(\f(4×M,NA),a3) g·cm-3=eq \f(4×140,6.02×1023×516×10-103) g·cm-3。
    (2)铜是面心立方最密堆积,则根据晶胞结构可知铜原子的配位数为12。晶胞中铜原子的个数8×eq \f(1,8)+6×eq \f(1,2)=4。铜原子半径为r cm,则面心对角线为4r cm,所以立方体的边长是2eq \r(2)r cm,则eq \f(2\r(2)r3·ρ,64)×NA=4,解得ρ=eq \f(64×4,NA·2\r(2)r3)。
    (3)①根据FeO的晶胞结构,可知Fe2+配位数为6(上、下、左、右、前、后)。②δ晶胞原子堆积名称为体心立方密堆积。根据晶胞结构可知,α­Fe晶胞、γ­Fe晶胞中含有的铁原子分别为1个和4个,所以有:ρ(α­Fe)=eq \f(56,NA·a3),ρ(γ­Fe)=eq \f(4×56,NA·b3),α­Fe和γ­Fe两种晶体的密度比为b3∶4a3。
    [答案] (1)8 12 eq \f(4×140,6.02×1023×516×10-103)
    (2)12 eq \f(64×4,NA·2\r(2)r3) (3)①6 ②体心立方密堆积
    b3∶4a3
    A组
    B组
    C组
    D组
    金刚石:3 550 ℃
    Li:181 ℃
    HF:-83 ℃
    NaCl:801 ℃
    硅晶体:1 410 ℃
    Na:98 ℃
    HCl:-115 ℃
    KCl:776 ℃
    硼晶体:2 300 ℃
    K:64 ℃
    HBr:-89 ℃
    RbCl:718 ℃
    二氧化硅:1 723 ℃
    Rb:39 ℃
    HI:-51 ℃
    CsCl:645 ℃
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