2021南通高三下学期5月考前练习卷（四模）化学试题含答案

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南通市2021届高三下学期5月考前练习卷（四模）化 学 试 题可能用到的相对原子质量：H1   C12      N14     O16一、单项选择题：共13题，每题3分，共39分。每题只有一个选项最符合题意。1.2021年5月15日，“天问一号”探测器成功软着陆于火星。这是中国火星探测史上的历史性事件。新型铝基碳化硅复合材料被大量应用于火星车的车身。下列关于该复合材料可能的性质描述不正确的是A.密度小B.硬度大C.熔点低D.抗氧化2.甲硫醇（CH3SH)是合成蛋氨酸的重要原料。反应CH3OH+H2S→CH3SH+H2O可用于甲硫醇的制备。下列有关说法正确的是A.Al3+的结构示意图为            B.H2S的电子式为C. 1 mol CH3SH中含6molσ键             D.CH3OH与CH3SH互为同系物3.氯是海水中重要的元素。下列有关氯及其化合物的性质与用途具有对应关系的是A.氯气显黄绿色，可用于制盐酸          B.盐酸呈强酸性，可用于除水垢C.次氯酸具有弱酸性，可用作漂白剂D.四氯化碳难溶于水，可用作灭火剂4.镀锌铁皮可用于制备七水合硫酸锌（ZnSO4-7H2O),其流程如下。下列有关说法正确的是A.镀锌铁皮的镀层被破坏后铁的腐蚀比生铁快B.“氧化”发生反应的离子方程式为2Fe2++2H++H2O2=2Fe3++2H2OC.“调pH”后所得溶液中大量存在的离子有Zn2+、SO42-、Fe3+、H+D.从“过滤2”所得滤液中获取晶体的操作为：蒸发滤液至有大量晶体出现时停止加热，利用余热将液体蒸干5.X、Y、Z、W、R是周期表中的短周期主族元素，原子序数依次增大。Y原子的最外层有4个电子，且未成对电子数和W相等，R和X同主族，RX为离子化合物。下列说法正确的是A.简单离子半径：r(R)>r(Z)>r(W)B.元素电负性：Z>W>YC.Y、Z最高价氧化物对应水化物的酸性：Y>ZD.W与R形成的化合物中可能含有共价键阅读下列资料，完成6~8题：硝酸是无色、易挥发、有刺激性气味的液体，具有强氧化性。浓硝酸见光易分解。工业常采用氨氧化法制硝酸，主要工艺流程如下图所示。在氧化炉中发生反应4NH3(g)+5O2(g)=-4NO(g)+6H2O(g)ΔH<0,NH3和空气的混合气通入灼热的铂铑合金网，生成的NO与残余的O2继续反应生成NO2.将NO2通入水中可制得HNO3.吸收塔排放的尾气中含有少量的NO、NO2等氮氧化物。工业以石灰乳为试剂，采用气－液逆流接触法（尾气从处理设备的底部进入，石灰乳从设备顶部喷淋）处理尾气。吸收塔中的NO2也可用稀硝酸吸收，得到HNO3和HNO2的混合溶液。利用石墨电极电解该混合溶液可获得较浓的硝酸。其工作原理如题8图所示。6.下列有关硝酸的说法正确的是A.NO3-的空间构型为三角锥形B.浓硝酸保存在棕色带橡胶塞的试剂瓶中C.用蘸有浓氨水的玻璃棒靠近浓硝酸有白烟产生D.常温下用铁制容器运输浓硝酸是因为铁与浓硝酸不反应7.下列有关硝酸工业制备说法不正确的是A.合成塔中使用催化剂，可以提高单位时间内N2的转化率B.加压可以提高氧化炉中NH3的平衡转化率C.吸收塔中鼓入过量的空气可以提高硝酸的产率D.采用气－液逆流接触法是为了使尾气中的氮氧化物吸收更充分8.下列说法正确的是 A.a为电源的正极B.电解池中的离子交换膜应为阴离子交换膜C.阳极的电极反应式为D.每2mol离子通过离子交换膜，左室产生的气体X的体积为22.4L(标准状况）9.反应2N2H4(1)+2NO2(g)=3N2(g)+4H2O(1)  ΔH=-1135.7 kJ·mol1可为火箭发射提供能量。下列有关该反应的说法正确的是A.反应消耗32gN2H4(1)放出1135.7kJ的能量B.反应物中所有化学键键能之和大于生成物中所有化学键键能之和C.每生成18g水，反应中转移电子物质的量为4molD.常温下该反应可自发进行10.氯化铁常用于污水处理等。该化合物是棕红色固体，易潮解，100℃时易升华。实验室可用氯气与金属铁反应制备无水氯化铁，实验装置如题10图所示。下列说法正确的是A.装置I中反应的离子方程式为MnO2+4HClMn2++Cl2↑+2Cl-+2H2OB.装置II洗气瓶中加入饱和NaHCO3以除去Cl2中的少量HCIC.装置III和装置IV洗气瓶中盛放的液体均为浓硫酸D.装置V的作用是为了防止倒吸11.化合物X是合成某种药物的中间体，其结构如题11图所示。下列有关化合物X的说法正确的是A.X分子中不存在手性碳原子B.X分子中所有原子可能共平面C.1molX最多能与7molH2发生加成反应D.一定条件下，X可与HCHO发生缩聚反应12.NH4HCO3是重要的氮肥。室温下，通过下列实验探究NH4HCO3的性质。下列说法正确的是A.实验1溶液中：c(HCO3-)>c(NH4+)B.实验2混合后的溶液中：c(NH4+)+c(NH3·H2O)=c(Cl-)C.实验3产生的气体能使湿润的蓝色石蕊试纸变红D.实验4发生反应的离子方程式为Fe2++CO32-=FeCO3↓13.CO2催化加氢是碳中和的重要手段之一，以下是CO2加氢时发生的两个主要反应：反应I:CO2(g)+4H2(g) CH4(g)+2H2O(g)          ΔH1=-165.0 kJ·mol-1反应II:CO2(g)+H2(g) CO(g)+H2O(g)               ΔH2在体积为VL的两个恒容密闭容器中，分别按题13表所示充入一定量的CO2和H2.平衡体系中和随温度变化关系如题13图所示。下列有关说法正确的是A.ΔH2<0B.曲线b表示乙容器中随温度的变化C.M点对应H2的总转化率为66.7%D.590℃条件下反应10min,某容器中＝2.4.此时，反应II的V正＞V逆二、非选择题：共4题，共61分。14.(15分）铬铁矿主要成分为铬尖晶石（FeCr2O4),以铬铁矿为原料可制备Cr2(SO4)3溶液。铬铁矿的尖晶石结构在通常条件下难以被破坏，其中的二价铁被氧化后，会促进尖晶石结构分解，有利于其参与化学反应。（1)铬铁矿中的基态二价铁被氧化过程中，失去的电子所处的能级为               。（2)120℃时，向铬铁矿矿粉中加入50%的H2SO4,不断搅拌，铬铁矿溶解速率很慢。向溶液中加入一定量的CrO3,矿粉溶解速率明显加快，得到含较多Cr3+和Fe3+的溶液。写出加入CrO3后促进尖晶石溶解的离子方程式：               。（3)其它条件不变，测得不同温度下Cr3+的浸出率随酸浸时间的变化如题14图－1所示。实际酸浸过程中选择120℃的原因是               。（4)已知：室温下Ksp[Cr(OH)3]=8x10-31,Ksp[Fe(OH)3]=3x10-39.可通过调节溶液的pH,除去酸浸后混合液中的Fe3+.实验测得除铁率和铬损失率随混合液pH的变化如题14图－2所示。pH=3时铬损失率高达38%的原因是                        。（5)在酸浸后的混合液中加入有机萃取剂，萃取后，Fe2(SO4)3进入有机层，Cr2(SO4)3进入水层。取10.00mL水层溶液于锥形瓶中，先加入氢氧化钠调节溶液至碱性，再加入足量过氧化氢溶液。充分反应后，加热煮沸除去过量过氧化氢。待溶液冷却至室温，加入硫酸和磷酸的混合酸酸化，此时溶液中Cr全部为＋6价。在酸化后的溶液中加入足量KI溶液，以淀粉溶液作指示剂，用0.3000mol·L-1Na2S2O3溶液滴定，发生反应：.滴定至终点时消耗Na2S2O3溶液19.80mL.计算萃取所得水层溶液中Cr3+的物质的量浓度                    。（写出计算过程）15.(16分）化合物H具有抗菌、消炎、降血压等多种功效，其合成路线如下：（1)A→B的反应类型为          。（2)可用于鉴别B与C的常用化学试剂为          。（3)F分子中碳原子的轨道杂化类型有          种。（4)D的分子式为C10H11O2C1,写出D的结构简式：          。（5)E的一种同分异构体同时满足下列条件，写出该同分异构体的结构简式：          。①分子中含苯环和碳氮双键，能发生银镜反应；②分子中有4种不同化学环境的氢原子。（6)设计以乙烯为原料制备的合成路线（无机试剂和有机溶剂任选，合成路线示例见本题题干）。16.(16分）三氯化六氨合钴（III){[Co(NH3)6]Cl3}是制备其它三价钴配合物的重要试剂。实验室以活性炭为催化剂，合成三氯化六氨合钴（III)晶体的流程如下：已知：①Co2+不易被氧化，Co3+具有强氧化性；［Co(NH3)6]2+具有较强还原性，［Co(NH3)6]3+性质稳定。②[Co(NH3)6]Cl3·6H2O在水中的溶解度随温度的升高而增大，加入浓盐酸有利于晶体析出。（1)“混合”时加入的NH4CI溶液有利于后续Co2+与NH3的配合反应，其原理是            。（2)在如题16图所示实验装置的三颈烧瓶中，发生“配合、氧化”。①控制三颈烧瓶中溶液温度为60℃的原因是            。②“配合”步骤安排在“氧化”步骤之前的目的是            。③向三颈烧瓶中滴加氨水的实验操作为            。加入H2O2溶液时发生反应的离子方程式为            。（3)设计由过滤后的滤渣获取［Co(NH3)6]Cl3·6H2O的实验方案：向滤渣中加入80℃左右的热水，               ,低温干燥。（实验中须使用的试剂：浓盐酸、无水乙醇）17.(14分）芯片是国家科技的心脏。在硅及其化合物上进行蚀刻是芯片制造中非常重要的环节。三氟化氮（NF3)、四氟化碳（CF4)是常见的蚀刻剂。（1)高纯三氟化氮对二氧化硅具有优异的蚀刻速率和选择性。①二氧化硅的晶胞结构如题17图－1所示，二氧化硅晶体中硅原子周围最近的硅原子有             个。②工业上常采用F2直接氟化尿素［CO(NH2)2]的方法生产NF3.得到的NF3中常含有少量CF4.常温下，三种物质在水中的溶解性大小顺序为：CF4<NF3<NH3,原因是            。（2)四氟化碳的一种蚀刻机理是：CF4在等离子体的条件下产生活性自由基（▪F),该自由基易与硅及其化合物中的硅原子结合生成SiF4气体从而达到蚀刻目的。用CF4(g)进行蚀刻时常与氧气混合，当混合气体的流速分别为80mL·min-1和100mL·min-1时，蚀刻速率随混合气体中O2和CF4体积之比［V(O2)/V(CF4)]的变化如题17图－2所示。①a点蚀刻速率比b点快的原因是      。②蚀刻速率随V(O2)/V(CF4)先升高后降低的原因是      。（3)NF3是一种强温室气体，消除大气中的 NF3对于环境保护具有重要意义。国内某科研团队研究了利用氢自由基（·H)的脱氟反应实现NF3的降解。降解生成·NF2和HF的两种反应历程如题17图－3所示。其中直接抽提反应是降解的主要历程，原因是      。