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备战2025年高考物理(浙江专用)押浙江卷计算大题18带电粒子在电场磁场中的运动(学生版+解析)练习
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1.离子注入机的原理图如图甲所示,由发射源、加速电场、速度选择器、偏转注入磁场、中性粒子回收器组成。均匀分布的混合粒子束离开发射源后,带电粒子在加速电场中加速,后以相同速度通过速度选择器,再进入偏转磁场,最终打在待掺杂半导体上;中性粒子始终沿原方向运动,被回收器回收。已知所有带电粒子均带正电,带电荷量为+q、质量为m,速度选择器两极板间的电压U可调,板间距为d,极板长度为3d,极板间磁场的磁感应强度大小为B1,方向垂直纸面向里,加速电场的加速电压为U1,待掺杂半导体的长度为2d。当U=0时,恰好没有带电粒子进入偏转磁场。不考虑粒子重力和粒子间的相互作用。
(1)求粒子离开发射源时的速度大小。此时要使所有粒子均能通过速度选择器,求U的值U2。
(2)在U=U2时,若加速电场的加速电压在U1∼k+1U1内周期性均匀变化,其中k>0且k≪1,求不能进入偏转磁场的带电粒子占总带电粒子数目比例的最大值(可认为带电粒子进入速度选择器后所受合力不变)。
(3)若U1保持不变,U随时间线性变化的规律如图乙所示(可认为带电粒子进入速度选择器后所受合力不变),周期为T,偏转磁场的区域足够大。
①要求所有进入偏转磁场的带电粒子全部打在半导体上,求偏转磁场的磁感应强度大小B2的取值范围。
②已知发射源t时间发射总粒子数为N,中性粒子回收器t时间回收粒子数目为N4,在B2取最大值的情况下,求1个周期内待掺杂半导体接收粒子的平均密度(总接收粒子数÷总接收长度)。
【答案】(1)4q2B12d2m2-2qU1m,2qB12d2m
(2)3dqB1214q2B12d2+2kU1qm-2dqB14q2B12d2+2kU1qm
(3)①2B1≤B2≤4B1;②nd=T2d3N2t-9Np16t
【来源】2025年浙江省普通高校招生选考科目考试物理测评卷(八)
【详解】(1)U=0时,极板间仅存在磁场,粒子在板间做匀速圆周运动,结合题述,作出从最下方进入板间的粒子的运动轨迹,如图1所示
由几何关系可知,粒子在极板间做圆周运动的轨迹半径R满足R-d2+3d2=R2
解得R=2d
粒子在磁场中运动,由洛伦兹力提供向心力,则有qv1B1=mv12R
粒子在加速电场中,由动能定理有qU1=12mv12-12mv02
解得粒子离开发射源时的速度大小与进入偏转磁场的速度大小v0=4q2B12d2m2-2qU1m,v1=2qB1dm
要使所有粒子均能通过板间,则要使粒子所受电场力与洛伦兹力相等,则有qv1B1=qU2d
解得U2=2qB12d2m
(2)由于加速电场的加速电压在U1∼k+1U1内周期性均匀变化,令加速电压为k1+1U1,根据动能定理有qk1+1U1=12mv22-12mv02
其中v0=4q2B12d2m2-2qU1m
解得粒子进入速度选择器时的速度为v2=4q2B12d2m2+2k1U1qm
粒子在速度选择器中运动,粒子所受合力不变,则合力为F合=qv2B1-qU2d
粒子沿速度选择器极板方向做匀速直线运动,则粒子在极板间运动的时间t1=3dv2
粒子垂直于速度选择器极板方向做匀加速直线运,则打在极板上的粒子对应的宽度Δx=12⋅F合mt12
联立得Δx=3d2qB12m1v2-2dqB1m⋅1v22
由数学知识可得,当k1=k时,不能进入偏转磁场的带电粒子占总带电粒子数目的比例最大,最大值为η=Δxd=3dqB1214q2B12d2+2kU1qm-2dqB14q2B12d2+2kU1qm
(3)①设粒子进入偏转磁场时,速度与轴线的夹角为θ,如图2所示
粒子进入偏转磁场时的速度v3=v1csθ
其中v1=2qB1dm
粒子在偏转磁场中做匀速圆周运动,由洛伦兹力提供向心力,则有qv3B2=mv32R1
解得R1=mv3qB2
粒子在偏转磁场中的偏转距离x=2R1csθ
解得x=2mv1qB2=4B1dB2
可知,偏转距离只与粒子进入速度选择器时的速度,偏转磁场的磁感应强度大小有关。若要使所有带电粒子都打到半导体上,则粒子的偏转距离应满足d≤x≤2d
解得偏转磁场的磁感应强度大小B2的取值范围为2B1≤B2≤4B1
②当极板间所加电压发生变化时,对于恰好打到上极板右边缘的粒子有3d=v1t2,y1=12⋅pU2qmd⋅t22
进入偏转磁场的带电粒子比例占总带电粒子数目的比例η'=d-y1d
解得η'=1-34p
由于电压随时间线性变化,则进入偏转磁场的带电粒子数目占总数的比例也随时间线性变化,作出射入偏转磁场粒子数目随时间的变化图像,如图3所示
在1个周期内待掺杂半导体接收粒子的总数目为n=T23N2t-9Np16t
结合上述可知,B2取最大值时,半导体接收粒子的总长度为d,则1个周期内待掺杂半导体接收粒子的平均密度为nd=T2d3N2t-9Np16t
2.利用电场、磁场可以控制离子的运动路径。如图所示,空间直角坐标系O-xyz中,x轴正方向水平向右、z轴正方向竖直向上、y轴正方向垂直xOy平面向外,离子源位于坐标原点O,在xOz平面内沿与x轴成θ=37°角方向发射速率为v,质量为m,电荷量为q的正离子,在yOz平面右侧区域内存在水平向左的匀强磁场,磁感应强度大小为B,从O点射出的离子经过时间Δt=2πmBq穿过x轴上的P点。不计空气阻力和离子所受的重力,不考虑离子对场的影响,sin37°=0.6,cs37°=0.8。
(1)求P点坐标。
(2)去掉磁场,在xOz平面内加上竖直向下的匀强电场,从离子源发出的离子向上运动,轨迹最高点到x轴的距离为dm=3πmv10Bq,求:
①所加电场的场强大小;
②离子回到x轴时的位置。
(3)保留原磁场,同时在yOz平面右侧区域加水平向右的匀强电场,场强大小为E'=4Bv5π,求从离子源发出的离子:
①经过时间Δt1=2πmBq时的位置坐标;
②经过时间Δt2=5πm2Bq时的位置坐标。
【答案】(1)8πmv5Bq,0,0
(2)①3Bv5π; ②8πmv5Bq,0,0
(3)①16πmv5Bq,0,0;②9πmv2Bq,3mv5Bq,3mv5Bq
【来源】2025年浙江省普通高校招生选考科目考试物理测评卷(三)
【详解】(1)将离子速度v分解到x轴和z轴方向vx=vcsθ,vz=vsinθ
离子在x轴方向以vx=vcsθ做匀速运动,在平行yOz平面内做匀速圆周运动,周期T=2πmBq
经过时间Δt=2πmBq完成一个完整的匀速圆周运动,在x轴方向的位移l=vxΔt=8πmv5Bq
故P点坐标为8πmv5Bq,0,0
(2)①离子在z轴正方向最大位移处的速度为v'=vcsθ
根据动能定理得-Eqdm=12mv'2-12mv2
解得E=3Bv5π
②离子在水平方向以vx=vcsθ做匀速运动,竖直方向做匀变速运动,从出发到回到x轴所用时间t'=2dmvz2=2πmBq
故水平位移l'=xxt'=8πmv5Bq
即离子刚好到达x轴上的P点,坐标为8πmv5Bq,0,0
(3)在yOz平面右侧区域同时存在水平向左的匀强磁场和水平向右的匀强电场,离子在平行yOz平面内做匀速圆周运动,在x轴方向上做匀加速运动。
①经过时间Δt1=2πmBq,离子刚好在平行yOz平面内完成一个完整的圆周运动,恰好经过x轴,此时所在位置的x轴坐标为x1=vxΔt1+12×qE'mΔt12
解得x1=16πmv5Bq
经过Δt1离子位置坐标为16πmv5Bq,0,0
②经过时间Δt2=5πm2Bq,离子在平行yOz平面内刚好经过54个圆周,x轴上的位置坐标x2=vxΔt2+12qE'mΔt22
解得x2=9πmv2Bq
y轴、z轴的坐标均为R=mvyBq=3mv5Bq
经过时间Δt2离子的位置坐标为9πmv2Bq,3mv5Bq,3mv5Bq
3.如图所示,半径为R的实线圆形边界内存在垂直纸面向外的匀强磁场(未画出),一质量为m、电荷量为+q的粒子(不计重力)从圆周上的A点以速度v0射入磁场,从B点射出磁场,运动轨迹的半径为2R,粒子在圆形边界内的运动时间为速率相同情况下运动时间的最大值,D点是入射速度延长线与出射速度反向延长线的交点,C点是出射速度延长线上一点,D、C两点间的距离为3R,过C点的虚线CE、CM分别与AD平行和垂直,虚线MN与CE平行,且MN与CE的间距为4R,CM、CE与MN所围区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场(未画出),粒子从C点进入磁场,到达MN时轨迹正好与MN相切于P点,求:
(1)实线圆形边界内匀强磁场的磁感应强度大小B1;
(2)CE与MN间匀强磁场的磁感应强度大小B2;
(3)粒子从A到P所用的总时间t;
(4)粒子从A到C所受的作用力对时间的平均值F的大小。
【答案】(1)B1=mv02qR
(2)B2=mv08qR
(3)t=10π+3R3v0
(4)F=3mv022π+3R
【来源】2025年浙江省普通高校招生选考科目考试物理测评卷(六)
【详解】(1)由洛伦兹力充当向心力可得B1qv0=mv022R
解得B1=mv02qR
(2)由题述可知,AB为圆形边界的直径,AB=2R,过A、B两点作速度的垂线即轨迹圆的半径,设AD与AB的夹角为θ,由几何关系可得sinθ=R2R
解得θ=π6
设速度的偏转角为α,则有α=2θ=π3
过C、P两点作速度的垂线,设轨迹圆的半径为r,如图所示,由几何关系可得r-4Rr=cs60°
由洛伦兹力充当向心力可得B2qv0=mv02r
综合解得B2=mv08qR
(3)粒子从A到B的运动时间为t1=2πR3v0
由几何关系可得BD=Rcsθ=233R
则BC=CD-BD=3R-233R=33R
粒子从B到C的运动时间为t2=BCv0=3R3v0
从C到P,粒子运动轨迹所对的角度为60°,粒子从C到P的运动时间为t3=πr3v0=8πR3v0
则粒子从A到P运动的总时间为t=t1+t2+t3=10π+3R3v0
(4)由矢量运算法则可得粒子从A到C速度变化量的大小为Δv=v0
由动量定理可得Ft1+t2=mΔv
综合解得F=3mv022π+3R
4.如图所示为一种测量石墨晶体层数的装置。图中O1,O2分别为EF,GH的中点,右侧为一含有n层sp2杂化的碳原子平面的石墨晶体,装置中所有的磁场及电场的方向及大小规律分布已在图中标出,不过多说明。装置的作用原理如下:一粒子源S发出一个带电粒子,该带电粒子无初速度地从AB极板中点的小孔进入加速电场,经加速后从O1进入板间,最终从O2点水平射出,之后粒子从P点垂直进入石墨层,并与有且仅有一个碳原子结合形成一个新整体,该过程整体视为质量与动量守恒。此后整体每经过一个石墨层都会再结合一个碳原子。当加速电压U=100V时,粒子恰好无法穿过该石墨晶体。已知粒子与碳原子的质量均为m=2×10-26kg,粒子的带电量q=+1×10-16C,EF、GH间电场强度E0=600V/m,板长均为L=1.5πm,板间距d=1m,石墨各层间距均为D=1.2×10-10m。图中E=1π2V/m,B=13×105T但B0未知。不计粒子间相互作用力,仅考虑图中电场与磁场对粒子的作用,电场与磁场均视为匀强场,不考虑边缘效应、相对论效应。求:
(1)粒子从加速电场中出来的速度v0;
(2)极板EF、GH间的磁感应强度大小B0;
(3)n的值以及粒子打在第n层时垂直纸面的位移大小s。
【答案】(1)1×106m/s;(2)6×10-4T;(3)8,2.25×10-20m
【来源】2024届浙江省温州市永嘉县上塘中学高三下学期模拟物理试题
【详解】(1)粒子在加速电场中,有
qU=12mv02
解得v0=1×106m/s
(2)粒子进入EF、GH区域做匀速直线运动,有
E0q=qv0B0
解得
B0=6×10-4T
(3)粒子穿过石墨层时动量守恒,穿过第n层时
mv0=(n+1)mvn
粒子在平行石墨层平面上,只受到电场力,在垂直石墨层平面上,只受到洛伦兹力,则在垂直石墨层平面上在石墨层之间做匀速圆周运动,在第n层和第n+1层石墨层之间,根据洛伦兹力提供向心力有
qvn⋅(n+1)B=(n+1)mvn2rn
则做圆周运动的轨迹半径为
rn=1n+1mv0qB
令r0=mv0qB=6×10-9m,粒子在垂直石墨层平面上,粒子的轨迹如图所示,将过石墨层的粒子轨迹半径反向延长,与第一层石墨相交,与第1层的石墨层的交点分别令为A1、A2、A3 ⋯An,与上一层石墨层相交的交点分别令为B1、B2、B3 ⋯B4,
则粒子射出第n(n>1)层时,在n层和第n+1之间,由几何关系可得
An-1Onrn=AnOnOnBn,AnOn+OnBn=(n-1)(rn-OnBn),An-1On=rn-1-rn
则
AnOn=n-1n2+1rn
当粒子在n层和第n+1之间恰好无法穿过该石墨晶体时,由
AnOn+rn=nD
解得
n=r0D-1=7
则粒子恰好不能穿过第8层。即石墨晶体层级为8。
粒子在石墨层之间做匀速圆周运动的周期
Tn=2πrnvn=2πr0v0
粒子打在第8层时恰好偏转90°,则运动时间
t=14T=πr02v0
在平行石墨层方向上,粒子在第n层之间
q(n+1)E=(n+1)ma
解得
a=qEm
则粒子在平行石墨层方向上做匀加速直线运动,则粒子粒子打在第8层时垂直纸面的位移大小
s=12at2=2.25×10-20m
5.利用电场、磁场对带电粒子的偏转是科学仪器中广泛应用的技术。如图1所示,平面坐标系中,第二象限圆形区域内存在方向垂直纸面向里的匀强磁场,已知圆形区域半径为R0,P点为一粒子源,能向x轴上方各方向均匀发射质量为m,电量为q,速度大小为v0的带电粒子,所有带电粒子经圆形磁场偏转后均能平行x轴射入第一象限;第一象限直角三角形区域内存在方向竖直向上的匀强电场,已知OM = 2R0,粒子重力可忽略不计,求解下列问题。
(1)P点出射粒子带正电还是带负电,圆形区域匀强磁场磁感应强度大小B0;
(2)假设三角形区域匀强电场E=2mv02qR0,所有进入电场的粒子中,求能从MN边界射出的粒子在经过y轴时的y轴坐标区间;
(3)假设第一象限直角三角形区域内电场改为方向垂直纸面向里,磁感应强度大小B=2mv0qR0的匀强磁场,如图2,求从ON边界和从MN边界射出的粒子分别占从P点发出的总粒子数的比例。
【答案】(1)负电,B0=mv0qR0;(2)149R0≤y≤2R0;(3)12,415
【来源】2024年浙江省普通高校招生考试选考科目考试冲刺卷物理(二)试题
【详解】(1)根据左手定则可得,P点出射粒子带负电。因为所有带电粒子经圆形磁场偏转后均能平行x轴射入第一象限,由“磁发散”可得,带电粒子在磁场中的运动半径等于磁场的半径,即轨迹半径为
r = R0
根据牛顿第二定律
qv0B0=mv02r
解得
B0=mv0qR0
(2)粒子在电场中做类平抛运动,当运动轨迹与MN相切时,为临界情况,设切点坐标为(x1,y1),此时经过y轴入射的纵坐标为y0,由数学知识可得
y1=-43x1+2R0
带电粒子在电场中受到向下的电场力,大小为
F=qE=2mv02R0
则加速度为
a=Fm=2v02R0
运动时间为
t=x1v0
沿y轴方向的位移为
Δy=y0-y1=12at2
整理得
x12-43R0·x1+2R02-y0R0=0
因为,运动轨迹与MN相切,所以上式中x1有唯一解,由数学知识可解得
y0=149R0
所以,能从MN边界射出的粒子在经过y轴时的y轴坐标区间149R0≤y≤2R0;
(3)粒子在第一象限做圆周运动,根据
qv0B=mv02r1
可得,轨迹半径为
r1=mv0qB=R02
当轨迹为与MN相切时,为临界情况,绘出运动轨迹图如下
此时经过y轴入射点A距M点距离为y2,则
y2=r1sin37°-r1=R03
则此时从P点发出的粒子与x轴负方向的夹角
csθ=R0-R03R0=23
故,从MN边界射出的粒子分别占从P点发出的总粒子数的比例为
kMN=θπ≃415
当粒子从O点射出时为从ON边界射出的临界情况,设此时经过y轴入射点距O点距离为y3,则
y3 = 2r1 = R0
则此时从P点发出的粒子与x轴垂直,故,从ON边界射出的粒子分别占从P点发出的总粒子数的比例为kON=π2π=12
6.在空间中一足够长圆柱形区域内存在匀强磁场,磁场的方向沿轴线向右,磁感应强度为B0,在轴线上有一粒子源,可以每秒发射N个质量为m,电荷量为+q,速度为v0的粒子。不计重力和粒子间的相互作用力。
(1)如图1所示,使粒子源沿垂直轴线的方向发射粒子,粒子恰好不会飞出磁场区域,求磁场区域的半径R;
(2)如图2所示,在磁场区域半径满足(1)的前提下,在右侧磁场范围内垂直轴线放一块足够大收集板A,将大量粒子沿与轴线成θ=30°向右射出,为保证所有粒子在A上均汇聚于一点,求粒子源到极板A的水平距离;
(3)如图3所示,大量粒子沿与轴线成θ=30°向右均匀射出,粒子源到A的距离满足(2)问,在A的中心挖一小孔,可使粒子通过。将收集板B平行放置于A右侧,并在AB极板间加上电压。粒子打在B板上即被完全吸收,求收集板B所受的作用力F与极板间电压UAB的关系;
(4)实验室中,常利用亥姆霍兹线圈产生匀强磁场,当一对亥姆霍兹线圈间的距离增大时,即可生成磁感应强度随空间缓慢变化的磁场,如图4所示,其磁感应强度两端强,中间弱。带电粒子可以在端点处“反射”而被束缚其中,即“磁约束”。粒子的运动满足如下规律:带电粒子在垂直磁场方向的速度分量v⊥与此处的磁感应强度B之间满足:12mv⊥2B=常数,现假设该磁场中的最大磁感应强度和最小磁感应强度之比为2:1,在该磁场的中部最弱区域有一带电粒子源,与轴线成θ发射粒子束,要使这些粒子能被束缚在该磁场区域,求θ的最小值。
【答案】(1)2mv0qB;(2)k3πmv0qB,k=1,2,3,4,⋅⋅⋅⋅⋅⋅;(3)F=Nm34v02+2qUABm,UAB≥-3mv028q0,UAB
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