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    3.1物质的聚集状态与晶体的常识同步练习 2024-2025学年高二化学人教版(2019)选择性必修2

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    高中化学人教版 (2019)选择性必修2第一节 物质的聚集状态与晶体的常识综合训练题

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    这是一份高中化学人教版 (2019)选择性必修2第一节 物质的聚集状态与晶体的常识综合训练题,共21页。试卷主要包含了单选题,填空题等内容,欢迎下载使用。

    基础练习
    一、单选题
    1.化学图示能简洁地传递许多信息。下列图示表示正确的是
    A.AB.BC.CD.D
    2.化合物A被广泛用于聚合催化和开环催化中(其结构如图)。已知X、Y、Z、M、W为原子序数依次增大的前20号元素,其中X、W位于同一主族,Y、M原子的最外层电子数相同,下列说法一定正确的是
    A.电负性:B.氢化物的沸点:
    C.该化合物中Z不满足8电子稳定结构D.Y形成的单质可能是共价晶体,也可能是分子晶体
    3.利用反应可实现人工合成金刚石。已知、钠的晶胞如图所示:
    下列关于该反应的说法错误的是
    A.C(金刚石)属于共价晶体
    B.晶胞中有2个钠原子
    C.的杂化方式是sp3杂化
    D.晶体中每个周围有8个
    4.下列说法不正确的是
    A.利用超分子的分子识别特征可以分离和
    B.聚乙炔可用于制备导电高分子材料
    C.等离子体和离子液体中的粒子全是带电荷的离子
    D.用射线衍射实验区别晶体与非晶体
    5.下列说法中的不正确是
    A.在NaCl晶体中,距Na+最近的Cl-形成正八面体
    B.在CaF2晶体中,每个晶胞平均占有4个Ca2+
    C.在CO2晶体中,每个CO2周围等距且紧邻的CO2有12个
    D.冰中的每个水分子均摊4个氢键
    6.砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是
    A.图甲中,Ga位于As原子构成的正四面体空隙中
    B.图甲中,Ga-As的键长为a pm,则晶胞边长为
    C.基态As原子的价电子排布式4s24p3
    D.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1∶2
    7.有关晶体的结构如图所示,下列说法中错误的是
    A.在NaCl晶体中,处于形成的八面体空隙中
    B.在晶体中,的配位数为8
    C.在金刚石晶体中,平均1摩尔碳原子形成2摩尔碳碳键
    D.该气态团簇分子的分子式为EF或FE
    8.稀磁半导体的立方晶胞结构如图甲所示,已知晶胞边长为,a点原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是
    A.该晶体中,每个Li原子周围紧邻且距离相等的Zn原子共有4个
    B.b点原子的分数坐标为
    C.晶胞x轴方向的投影图为
    D.该晶体的密度为
    9.观察下列模型并结合有关信息,判断有关说法正确的是
    A.单质硼属于共价晶体B.SF6是由极性键构成的极性分子
    C.固态硫S8属于共价晶体D.HCN的结构式为H=C=N
    10.下列各组物质中,化学键类型相同,晶体类型也相同的是
    A.C(金刚石)和B.和
    C.和D.和
    11.氮化镓属于第三代半导体材料,晶体结构与金刚石相似,其晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为pnm,a点原子分数坐标是(0,0,0)。下列说法正确的是
    A.晶胞中镓原子的配位数为12
    B.相邻两个N原子的最短距离为
    C.晶胞中b点原子分数坐标为()
    D.电负性:
    12.可用作荧光粉的基质、光导体材料。其晶胞如图所示:
    下列说法错误的是
    A.晶胞中的配位数为4
    B.垂直于晶胞对角面(平面)的投影为
    C.晶胞中甲的原子分数坐标为,则乙的原子分数坐标为
    D.晶胞棱长为,则晶体的摩尔体积
    13.几种离子晶体的晶胞如图所示,则下列说法正确的是
    A.熔沸点:NaClX>M,A错误;
    B.未指明最简单氢化物,Y的氢化物即烃,种类很多,无法判断沸点高低关系,B错误;
    C.Z与M共用一对电子,整个阴离子带1个负电荷,相当于Z再得到一个电子,故Z满足8电子稳定结构,C错误;
    D.Y形成的单质,可以是金刚石,为共价晶体,也可以是C60,为分子晶体,D正确;
    故选D。
    3.D
    【详解】A.金刚石硬度大、熔点高,C(金刚石)属于共价晶体,故A正确;
    B.根据均摊原则,晶胞中钠原子有个,故B正确;
    C.中C原子形成4个σ键、无孤电子对,C原子杂化方式是sp3杂化,故C正确;
    D.根据晶胞图,晶体中每个周围有6个,故D错误;
    选D。
    4.C
    【详解】A. 超分子是由两种或两种以上的分子通过分子间相互作用形成的分子聚集体,超分子的重要特征是分子识别与自组装,利用超分子的分子识别特征可以分离和,故A正确;
    B. 聚乙炔中含有单键与双键交替的结构单元,有类似于石墨的大π键,含有自由电子,能导电,聚乙炔可用于制备导电高分子材料,故B正确;
    C. 由大量带电微粒(离子、电子)和中性微粒(原子或分子)所组成的物质聚集体称为等离子体,等离子体是一种特殊的气体,等离子体和离子液体中的粒子不一定是带电荷的离子,故C错误;
    D. 当X射线通过晶体时,会在记录仪上看到分立的斑点或谱线,而非晶体则没有,所以X射线衍射实验是区分晶体与非晶体最可靠的方法,故D正确;
    故选C。
    5.D
    【详解】A.据图可知距Na+最近的Cl-位于棱心和体心,共6个,形成正八面体,A正确;
    B.Ca2+位于晶胞的顶点和面心,根据均摊法,Ca2+个数为,B正确;
    C.由图知,在CO2晶体中,每个CO2周围等距且紧邻的CO2同层上下层各4个,共12个,C正确;
    D.冰中的每个水分子均摊个氢键,D错误;
    故选D。
    6.D
    【详解】A.距离Ga原子最近且等距离的As原子数是4个,且4个As原子构成正四面体结构,故Ga位于As原子构成的正四面体空隙中,故A正确;
    B.Ga-As的键长为晶胞体对角线长度的1/4,设晶胞边长为x,则,所以x=,故B正确;
    C.基态As原子的价电子排布式4s24p3,故C正确;
    D.由图乙可知,掺杂Mn之后,晶胞中Mn的数目为1×+1×=,As的数目为4,故稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为5∶32,故D错误;
    故选D。
    7.D
    【详解】A.氯化钠晶体中,据距Na+最近的Cl-有6个,即钠离子的配位数是6,6个氯离子形成正八面体结构,A正确;
    B.氟化钙晶体中,以最上面的面心钙离子为例,本晶胞有4个氟离子,本晶胞上面的晶胞中还有4个氟离子,故的配位数为8,B正确;
    C.金刚石晶体中,每个碳原子与4个碳原子相连,而碳碳键为2个碳原子共用,碳原子与C-C键的个数比为1:2,C正确;
    D.由于是气态团簇分子,则图中所示为一个分子的结构,分子式可从图中直接读出,其分子式为E4F4或F4E4,D错误;
    故选D。
    8.D
    【分析】由晶胞图可知,Li原子位于棱心和体心,共有12×个锂原子,As原子位于晶胞内部,共有4个As原子,Zn原子位于顶角和面心。共有8×=4个Zn原子。
    【详解】A.由晶胞结构可知,晶胞中位于体心的Li原子与位于面心的Zn原子紧邻且距离相等,则该晶体中,每个Li原子周围紧邻且距离相等的Zn原子共有6个,A错误;
    B.根据a点原子的分数坐标可推断出b点原子的分数坐标为(,,),B错误;
    C.由晶胞结构可知,晶胞 x 轴方向的投影图为,C 错误;
    D.由晶胞结构可知,晶胞中位于顶角和面心的锌原子个数为8×=4个Zn原子,位于体内的砷原子个数为4个,位于棱上和体心的锂原子个数为12×个,晶胞的质量= g,晶胞的体积=3×10-21cm3,该晶体的密度,D正确;
    答案选D。
    9.A
    【详解】A.由图知,B12结构单为空间网状结构,熔点较高,为共价晶体,A正确;
    B.不同原子构成的共价键是极性键,分子中正负电荷中心不重合,从整个分子来看,电荷的分布是不均匀、不对称的分子为极性分子。以极性键结合的双原子一定为极性分子,以极性键结合的多原子分子如结构对称,正负电荷的重心重合,电荷分布均匀,则为非极性分子,SF6是由极性键 S-F构成,空间构型为对称结构,分子极性抵消,SF6为非极性分子,B错误;
    C.固态S是由S8构成的,该晶体中存在的微粒是分子,所以属于分子晶体,S8是一个环形分子,每个 S与两个其它S原子相连,C错误;
    D.由比例模型可以看出分子中有1个碳原子和1个氮原子,1个氢原子,碳原子半径大于氮原子半径,氮原子半径大于氢原子半径,所以该比例模型中最左端的是氢原子,中间的是碳原子,最右边的是氮原子,其结构式为H-C≡N,D错误;
    故选A。
    10.B
    【详解】A.金刚石是共价键结合的原子晶体,Ne分子晶体,A错误;
    B.CH4和H2O都是分子晶体,都只含共价键,故B正确;
    C.HBr是分子晶体,含有共价键,NaBr是离子晶体,含有离子键,故C错误;
    D.Cl2是分子晶体,含有共价键,KCl是离子晶体,含有离子键,故D错误;
    故选:B。
    11.C
    【详解】A.以上平面心的Ga为例,本晶胞有两个N,上边晶胞有两个N,共4个Ga晶胞中镓原子的配位数为4,A错误;
    B.相邻两个N原子的最短距离为面对角线的一半,,B错误;
    C.a点为()晶胞中b点原子分数坐标为(),C正确;
    D.Ga与As同周期,同周期随原子序数递增电负性增大,电负性:,As与N同族,同族元素电负性由上到下减小,电负性:,故电负性:,D错误;
    故选C。
    12.B
    【详解】A.晶胞中的周围有4个S2-,的配位数为4,A正确;
    B.垂直于晶胞对角面(平面)的投影为,B错误;
    C.晶胞中甲的原子分数坐标为,则乙的原子分数坐标为,C正确;
    D.晶胞棱长为,晶体体积为,晶胞中含4个、4个S2-,则晶体的摩尔体积,D正确;
    故选B。

    13.D
    【详解】A.NaCl 和CsCl都是离子晶体,Na+半径小于Cs+半径,半径越小,离子间的离子键越强,熔沸点越高,因此熔沸点:NaCl>CsCl,A错误;
    B.由图可知,在NaCl晶胞中,距离Na+最近且等距的Na+数且为12,B错误;
    C.ZnS的晶胞边长为a pm,Zn2+与S2-之间的最近距离为体对角线的,因此为apm,C错误;
    D.ZnS中阳离子配位数为4,NaCl中阳离子配位数为6,CsCl中阳离子配位数为8,因此阳离子的配位数大小关系为ZnS

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